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Siehe Technische Spezifikationen

FDMS8690 +BOM

Product FDMS8690 is a N Channel MOSFET with a 9mΩ resistance at 14A and a 3V threshold voltage at 250uA

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDMS8690
Datenblatt:

FDMS8690 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS8690

FDMS8690 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 14A (Ta), 27A (Tc) 2.5W (Ta), 37.8W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56

Hauptmerkmale

Max rDS(on) = 3.9 m at VGS = 10 V, ID = 19 A

Max rDS(on) = 5.5 m at VGS = 8 V, ID = 15.5 A

Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency

Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery

MSL1 robust package design

100% UIL tested

RoHS Compliant

Anwendung

OringFET / Load Switching

DC-DC Conversion

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	27 A	Rds On - Drain-Source Resistance	7.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Series	FDMS8690
Configuration	Single	Fall Time	19 ns
Height	0.8 mm	Length	6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	1.8 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	26 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Width	5 mm	Unit Weight	0.008148 oz

Servicerichtlinien und andere

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