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FDMS8D8N15C +BOM

Power MOSFET, N channel, 150V, 85A, 8.8m Ohm in Power56 package

FDMS8D8N15C Allgemeine Beschreibung

With the FDMS8D8N15C, you can expect nothing but the best as it is designed using the latest PowerTrench® process, incorporating Shielded Gate technology. This state-of-the-art production method has been carefully engineered to minimize on-state resistance while delivering exceptional switching performance and an unparalleled soft body diode

Hauptmerkmale

  • High-Speed Switching
  • Faster Turn-On Time, Lower Loss
  • Surface Mount Package Design
  • Ultra-Low Power Consumption
  • Fast Diode Recovery Time
  • Lifetime Reliability Guarantee

Anwendung

  • Essential for any task
  • Convenient and reliable
  • Multi-functional and handy

Spezifikationen

Source Content uid FDMS8D8N15C Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 60 Weeks
Date Of Intro 2018-05-17 Avalanche Energy Rating (Eas) 102 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 150 V Drain Current-Max (ID) 85 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0088 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 9.3 pF JEDEC-95 Code MO-240AA
JESD-30 Code R-PDSO-N5 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 5 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 132 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 340 A
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form NO LEAD Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Turn-off Time-Max (toff) 59 ns
Turn-on Time-Max (ton) 78 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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