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Siehe Technische Spezifikationen

FDN302P +BOM

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -2.4A, 55mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDN302P
Datenblatt:

FDN302P Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDN302P

FDN302P Allgemeine Beschreibung

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

Hauptmerkmale

–20 A, –2.4 V.
R_DS(ON)= 0.055Ω @ VGS = –4.5 V
R_DS(ON) = 0.080Ω @ VGS = –2.5 V
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)
SuperSOT™ -3 provides low R_DS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the samefootprint

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.
Power Management
Load Switch
Battery Protection

Spezifikationen

Source Content uid	FDN302P	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	77 Weeks
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	2.4 A	Drain-source On Resistance-Max	0.055 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.5 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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