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FDN338P +BOM

SOT-23 MOSFETs ROHS

FDN338P Allgemeine Beschreibung

The FDN338P MOSFET is a reliable component for power management in battery-operated devices. Utilizing a cutting-edge PowerTrench process, this P-Channel MOSFET is specifically designed for low voltage applications, making it ideal for portable electronics where battery efficiency is crucial. Its 2.5V specification ensures compatibility with a wide range of devices, providing a versatile solution for various power management needs

Hauptmerkmale

  • RDS(ON): 110 mΩ @ VGS = –3.5 V
  • –2 A, –15 V, low input capacitance
  • Fast switching speed with high reliability
  • Low RDS(ON), high current handling capability
  • SuperSOT™ -3 provides 30% higher power handling than SOT23
  • RDSON: 90 mΩ @ VGS = –5.5 V, low input capacitance

Anwendung

  • Integrated Circuit
  • High Performance
  • Temperature Sensing

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 1.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 115 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 6.2 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 500 mW
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDN338P Configuration Single
Fall Time 11 ns Forward Transconductance - Min 6 S
Height 1.12 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Rise Time 11 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 16 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns Width 1.4 mm
Part # Aliases FDN338P_NL Unit Weight 0.001058 oz

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