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30V 1.9A 500mW 60mΩ@10V,2.2A 2V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
SSOT-3Hersteller:
Herstellerteil #:
FDN357N
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
EDA/CAD Modelle:
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Operating within a temperature range of -55 to 150 °C, the FDN357N MOSFET is a reliable choice for electronic circuits that require precise temperature control. Its N-channel polarity and logic level drive make it compatible with a wide range of digital devices, while the SOT-23 housing type offers a compact and easily mountable form factor. The enhancement mode of this MOSFET allows for efficient power handling, with a power dissipation rating of 500 mW ensuring stable performance under varying load conditions
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 1.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 81 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 5.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 500 mW |
Channel Mode | Enhancement | Series | FDN357N |
Configuration | Single | Fall Time | 12 ns |
Forward Transconductance - Min | 5 S | Height | 1.12 mm |
Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 12 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns | Width | 1.4 mm |
Part # Aliases | FDN357N_NL | Unit Weight | 0.001058 oz |
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
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