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Siehe Technische Spezifikationen

FDN86265P +BOM

P-Channel PowerTrench® MOSFET -150V, -0.8A, 1.2Ω

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDN86265P
Datenblatt:

FDN86265P Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDN86265P

FDN86265P Allgemeine Beschreibung

The FDN86265P product boasts unparalleled performance and efficiency, thanks to Fairchild Semiconductor's cutting-edge PowerTrench® process. By incorporating Shielded Gate technology, this P-Channel MOSFET delivers reduced on-state resistance without compromising on superior switching capabilities. With this advanced manufacturing technique, users can expect optimal power management and increased reliability in their electronic devices

Hauptmerkmale

Fast switching and load switching enabled
P-Channel technology for efficient power control
Optimized for low gate charge Qg
100% tested for reliable performance
Rohs compliant for environmental safety
Mid-voltage operation with high current capability

Anwendung

Fresh Flowers
Fruit Basket
Healthy Snacks
Tasty Treats

Spezifikationen

Source Content uid	FDN86265P	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	150 V	Drain Current-Max (ID)	0.8 A
Drain-source On Resistance-Max	1.2 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	5 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	1.5 W	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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