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Siehe Technische Spezifikationen

FDP090N10 +BOM

TO-220AB packaged N-channel MOSFET transistor capable of handling up to 100V and 75A on a rail mount

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDP090N10
Datenblatt:

FDP090N10 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDP090N10

FDP090N10 Allgemeine Beschreibung

When it comes to power management, the FDP090N10 N-Channel MOSFET stands out as a high-performance solution that delivers exceptional results. Its PowerTrench® process is specifically engineered to reduce on-state resistance while maintaining excellent switching performance, making it the perfect choice for demanding applications where efficiency and reliability are key. Trust in the FDP090N10 to provide the power and precision you need for your next project

Hauptmerkmale

Eco-friendly and RoHS compliant materials used
High-performance N-channel MOSFET device features
Low power dissipation with high-frequency applications
Excellent thermal stability for harsh environments
Precise control over electrical parameters ensured
Compact design for space-efficient applications possible

Anwendung

Desktop Essentials
PC Add-Ons
Server Components

Spezifikationen

Source Content uid	FDP090N10	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	45 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	309 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	75 A
Drain-source On Resistance-Max	0.009 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	208 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	300 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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