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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDP150N10 +BOM

Low-voltage, high-current N-Channel MOSFET for robust performanc

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDP150N10
Datenblatt:

FDP150N10 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDP150N10

FDP150N10 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N CH, 100V, 57A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:228A

Hauptmerkmale

High-efficiency solar energy conversion
Low-voltage startup capability
Fast charging time
Long product life cycle
Wide operating temperature range for residential applications
Advanced invertor control for grid stability

Anwendung

Compact Power Inverters
Advanced Power Electronics
Flexible Power Solutions

Spezifikationen

Source Content uid	FDP150N10	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	58 Weeks
Application	SWITCHING	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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