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Siehe Technische Spezifikationen

FDP2614 +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 200V, 62A, 27mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDP2614
Datenblatt:

FDP2614 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDP2614

FDP2614 Allgemeine Beschreibung

The FDP2614 N-Channel MOSFET showcases the pinnacle of engineering excellence with its use of the PowerTrench® process, which is specifically optimized to lower on-state resistance while maintaining unbeatable switching performance. This innovative approach sets this MOSFET apart from its counterparts, offering unparalleled efficiency and reliability in operation

Hauptmerkmale

Silicon-based semiconductor materials
Improved thermal management
Faster switching speeds
Durable and long-lasting performance

Anwendung

Grid-Tied Applications
DC-DC Converters
Power Factor Correction

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Id - Continuous Drain Current	62 A	Rds On - Drain-Source Resistance	27 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	99 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	260 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDP2614	Configuration	Single
Fall Time	162 ns	Height	16.3 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	284 ns	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	103 ns	Typical Turn-On Delay Time	77 ns
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.068784 oz

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