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Siehe Technische Spezifikationen

FDP33N25 +BOM

Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, 250 V, 33 A, 94 mΩ, TO-220

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDP33N25
Datenblatt:

FDP33N25 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDP33N25

FDP33N25 Allgemeine Beschreibung

Whether you're designing a new power supply for a consumer electronics device or upgrading an existing system, the FDP33N25 UniFET™ MOSFET offers the performance and reliability you need. Trust in its advanced technology and proven track record to power your next project with precision and efficiency. Choose the FDP33N25 for high voltage applications that demand superior switching performance and enhanced energy efficiency

Hauptmerkmale

High-speed switching performance with low gate charge
Low C_rss (Typ. 38pF) and R_DS(on) = 22mΩ (Max.)@ V_GS = 8V, I_D = 16A
100% tested for high reliability

Fast recovery time and low forward voltage drop
High surge current capability up to 12.5A
Low leakage current and high immunity to radiation

Anwendung

Suitable for various devices
Reliable performance
Versatile power option

Spezifikationen

Source Content uid	FDP33N25	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	60 Weeks
Additional Feature	AVALANCHE RATED	Application	SWITCHING
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Surface Mount	NO	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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