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FDS4685 +BOM

40V P-Channel PowerTrench® MOSFET -8.2A, 27mΩ

FDS4685 Allgemeine Beschreibung

The FDS4685 is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power management applications that demand a wide range of gate drive voltage ratings. Built using the advanced PowerTrench process, this rugged gate version offers exceptional durability and reliability, making it ideal for a variety of power management tasks. With a gate drive voltage range of 4.5V to 20V, the FDS4685 provides versatility and flexibility, enabling it to be used in a wide range of systems and configurations. Whether it's for industrial, automotive, or consumer electronics applications, this MOSFET is well-equipped to handle the demands of power management with ease and efficiency

Hauptmerkmale

  • -3.9A, -15V
  • RDS(ON) = 0.025 mΩ @ VGS = -4.5V
  • Fast switching time
  • Low RDS(ON)
  • Suitable for high-power applications
  • Fully CE compliant

Anwendung

  • Versatile functionality
  • Advanced technology
  • High level of protection

Spezifikationen

Source Content uid FDS4685 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 56 Weeks
Application SWITCHING Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-G8
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 8 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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