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Siehe Technische Spezifikationen

FDS4897AC +BOM

PowerTrench MOSFET with both N and P-channels

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDS4897AC
Datenblatt:

FDS4897AC Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel, P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDS4897AC

FDS4897AC Allgemeine Beschreibung

By utilizing advanced technology in the production of the FDS4897AC, it offers improved functionality and reliability compared to traditional MOSFETs. The PowerTrench® process allows for enhanced performance in terms of reduced resistance and enhanced switching capabilities. This results in a product that is not only efficient but also durable, providing long-lasting performance for a wide range of electronics applications

Hauptmerkmale

Dual N-Channel MOSFET
P-Channel Power Transistor
Ultra Low On-Resistance
High Current Density Design
Advanced Package Technology
Reliable Electrostatic Discharge Protection

Anwendung

Modern
Efficient
Powerful

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	6.1 A, 5.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	26 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V, 3 V
Qg - Gate Charge	21 nC, 20 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS4897AC	Configuration	Dual
Fall Time	2 ns, 3 ns	Height	1.75 mm
Length	4.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	2 ns, 3 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns	Typical Turn-On Delay Time	6 ns, 8 ns
Width	3.9 mm	Unit Weight	0.006596 oz

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