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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDS4935A +BOM

Channel PowerTrench MOSFET

Hersteller:

ON
Herstellerteil #:

FDS4935A
Datenblatt:

FDS4935A Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDS4935A

FDS4935A Allgemeine Beschreibung

The FDS4935A P-Channel MOSFET stands out as a top choice for power management applications thanks to its rugged gate design and advanced PowerTrench technology. With a wide range of gate drive voltage ratings, from 4.5V to 20V, this MOSFET offers versatility and reliability for a variety of power management needs. Its high power efficiency ensures consistent performance, making it an ideal solution for both professional and personal electronics projects

Hauptmerkmale

Fast switching, low gate charge
High power density, high current
Low R_DS(ON), high performance
Advanced trench technology, high reliability
Compact design, high power handling
Fast response, low noise operation

Anwendung

Compact size
Overload protection
Easy installation

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	21 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS4935A	Configuration	Dual
Fall Time	25 ns	Forward Transconductance - Min	19 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	48 ns	Typical Turn-On Delay Time	13 ns
Width	3.9 mm	Part # Aliases	FDS4935A_NL
Unit Weight	0.006596 oz

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