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Siehe Technische Spezifikationen

FDS6675BZ +BOM

30V 11A 13mΩ@10V,11A 2.5W 3V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDS6675BZ
Datenblatt:

FDS6675BZ Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDS6675BZ

FDS6675BZ Allgemeine Beschreibung

With its PowerTrench technology and low on-state resistance, the FDS6675BZ offers superior power management capabilities that are essential for modern electronic devices. By reducing power loss and maximizing energy efficiency, this MOSFET helps prolong battery life and improve overall system performance. Its versatile application range and reliable operation make it a go-to choice for engineers and designers seeking high-performance components for their projects

Hauptmerkmale

Low noise and high efficiency for reduced heat generation
High surge current handling up to 20A
RDS(on) of 18mΩ at -5V and 15A
Suitable for renewable energy systems and solar power applications

Anwendung

Improved efficiency
User-friendly design
Enhanced performance

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	11 A	Rds On - Drain-Source Resistance	10.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	62 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS6675BZ	Configuration	Single
Fall Time	60 ns	Forward Transconductance - Min	34 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	7.8 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	120 ns	Typical Turn-On Delay Time	3 ns
Width	3.9 mm	Unit Weight	0.004586 oz

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