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Siehe Technische Spezifikationen

FDS6690AS +BOM

30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 10A, 12mΩ

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FDS6690AS
Datenblatt:

FDS6690AS Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

10A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDS6690AS

FDS6690AS Allgemeine Beschreibung

One of the key features of the FDS6690AS is its integrated Schottky diode, which is made possible by ON Semiconductor’s innovative SyncFET technology. This integration streamlines the design process and helps to reduce overall system complexity. Additionally, the performance of the FDS6690AS as a low-side switch in a synchronous rectifier closely rivals that of the FDS6690A in conjunction with a separate Schottky diode

Hauptmerkmale

High frequency performance
Low on-state resistance
Synchronous rectification technology
Excellent thermal performance
Compact surface mount package

Anwendung

High Efficiency Power
Compact Size Design
Versatile Functionality

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	910 pF @ 15 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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