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FDS86242 +BOM

Experience superior power management with FDS86242, an N-channel PowerTrench® MOSFET featuring a 150V voltage tolerance, 4

FDS86242 Allgemeine Beschreibung

The FDS86242 N-Channel MOSFET is a prime example of advanced semiconductor technology. Utilizing a specialized Power Trench® process, this MOSFET offers optimized performance in terms of low on-state resistance (rDS(on)), switching speed, and ruggedness. Engineers and designers can rely on this MOSFET to deliver high performance and reliability in a variety of power management applications

Hauptmerkmale

  • Faster processing speeds with low latency
  • Elegant and sleek design for premium look
  • Durable construction for long-lasting performance
  • Efficient power management for extended battery life
  • Advanced safety features for peace of mind

Anwendung

  • Versatile Applications
  • Seamless Compatibility
  • Adaptable Output Options

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V
Id - Continuous Drain Current 20 A Rds On - Drain-Source Resistance 56.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 4.9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 5 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDS86242 Configuration Single
Fall Time 10 ns Forward Transconductance - Min 11 S
Height 1.75 mm Length 4.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 10 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type N-Channel Power Trench MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 23 ns Typical Turn-On Delay Time 16 ns
Width 3.9 mm Unit Weight 0.004586 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

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