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Siehe Technische Spezifikationen

FDS89161 +BOM

Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 2.7A, 105mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDS89161
Datenblatt:

FDS89161 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDS89161

FDS89161 Allgemeine Beschreibung

Elevate your electronic projects with the inclusion of this innovative N-Channel MOSFET, meticulously crafted using a cutting-edge Power Trench® technology that enhances key attributes like on-resistance, switching performance, and overall robustness. From reducing power losses to improving the efficiency of electrical circuits, the FDS89161 MOSFET stands out as a premier choice for professionals seeking top-tier components to drive their innovations forward

Hauptmerkmale

Precise Temperature Control
Low On-State Voltage Drop
Extremely Low Saturation Current

Anwendung

Must-have product
Exceptional quality

Spezifikationen

Source Content uid	FDS89161	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	24 Weeks
Application	SWITCHING	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Element Material	SILICON

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