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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDY102PZ +BOM

P-Channel 20 V 830mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDY102PZ
Datenblatt:

FDY102PZ Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDY102PZ

FDY102PZ Allgemeine Beschreibung

This Single P-Channel MOSFET has been designed using an advanced Power Trench process to optimize the r _DS(on)@V_GS = –1.5 V.

Hauptmerkmale

Max r_DS(on) = 0.5 Ω at V_GS = –4.5 V, I_D = –0.83 A
Max r_DS(on) = 0.7 Ω at V_GS = –2.5 V, I_D = –0.70 A
Max r_DS(on) = 1.2 Ω at V_GS = –1.8 V, I_D = –0.43 A
Max r_DS(on) = 1.8 Ω at V_GS = –1.5 V, I_D = –0.36 A
HBM ESD protection level = 1400 V (Note 3)
RoHS Compliant

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Source Content uid	FDY102PZ	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	68 Weeks
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	0.83 A	Drain-source On Resistance-Max	0.5 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	30 pF
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.625 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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