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FDY302NZ +BOM

High-performance power electronic component for various applications

FDY302NZ Allgemeine Beschreibung

With a focus on efficiency and power optimization, the FDY302NZ MOSFET offers superior performance compared to traditional options. Its low RDS(ON) @ VGS = 2.5V makes it ideal for use in power management systems, switching circuits, and voltage regulation applications

Hauptmerkmale

  • High Current Handling
  • Fast Switching Time
  • Miniature Package Available

Anwendung

  • High-quality performance
  • Convenient energy source
  • Essential for modern living

Spezifikationen

Source Content uid FDY302NZ Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 73 Weeks
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 0.6 A Drain-source On Resistance-Max 0.3 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-F3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.625 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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