Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FLM7785-4F +BOM

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

Hersteller:

SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD
Herstellerteil #:

FLM7785-4F
Datenblatt:

FLM7785-4F Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

HIGH RELIABILITY
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FLM7785-4F

FLM7785-4F Allgemeine Beschreibung

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

Hauptmerkmale

High Output Power: P1dB = 42.5dBm (Typ.)
High Gain: G1dB = 7.0dB (Typ.)
High PAE: ηadd = 29% (Typ.)
Low IM3 =
[email protected]
= 31.5dBm
Broad Band: 7.7 ~ 8.5GHz
Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω
Hermetically Sealed

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	15 V
Drain Current-Max (ID)	1.3 A	FET Technology	JUNCTION
Highest Frequency Band	X BAND	JESD-30 Code	R-CDFM-F2
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	DEPLETION MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Transistor Element Material	GALLIUM ARSENIDE

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..