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Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 24 A, 200 mΩ, TO-3P
TO-3PN-3Hersteller:
Onsemi
Herstellerteil #:
FQA24N50
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
EDA/CAD Modelle:
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Thanks to its advanced planar stripe design, the FQA24N50 is able to deliver exceptional efficiency and performance, making it an ideal choice for high efficiency switch mode power supplies and power factor correction systems. Additionally, its suitability for electronic lamp ballasts based on half bridge configurations further highlights its versatility and utility in various applications
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Id - Continuous Drain Current | 24 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
Qg - Gate Charge | 90 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 290 W |
Channel Mode | Enhancement | Series | FQA24N50 |
Configuration | Single | Fall Time | 155 ns |
Forward Transconductance - Min | 22 S | Height | 20.1 mm |
Length | 16.2 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 250 ns | Factory Pack Quantity | 450 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 200 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 80 ns | Width | 5 mm |
Part # Aliases | FQA24N50_NL | Unit Weight | 0.162260 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
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NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
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IRF3205
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The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren