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FQB12P20TM +BOM

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -200 V, -11.5 A, 470 mΩ, D2PAK

FQB12P20TM Allgemeine Beschreibung

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Hauptmerkmale

  • -11.5A, -200V, RDS(on) = 470mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -5.75A
  • Low gate charge ( Typ. 31nC)
  • Low Crss ( Typ. 30pF)
  • 100% avalanche tested
  • RoHS Compliant

Anwendung

  • Other Industrial

Spezifikationen

Source Content uid FQB12P20TM Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 40 Weeks
Additional Feature FAST SWITCHING Avalanche Energy Rating (Eas) 810 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 200 V Drain Current-Max (ID) 11.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.47 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-263AB JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 245 Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 120 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 46 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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