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Siehe Technische Spezifikationen

FQB5N90TM +BOM

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 5.4 A, 2.3 Ω, D2PAK

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FQB5N90TM
Datenblatt:

FQB5N90TM Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FQB5N90TM

FQB5N90TM Allgemeine Beschreibung

The FQB5N90TM power MOSFET is built using advanced MOSFET technology tailored to minimize on-state resistance while delivering superior switching performance and high avalanche energy strength. These features make it a suitable choice for applications such as switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts

Hauptmerkmale

Ultra-low leakage current (Typ. 10nA)
Fast switching time (Typ. 100ns)
Avalanche tested for high-reliability applications
Rise and fall times (Typ. 50/20ns)

Anwendung

Shine bright at night
Light the way forward
Glow with elegance

Spezifikationen

Source Content uid	FQB5N90TM	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	51 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	660 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	900 V
Drain Current-Max (ID)	5.4 A	Drain-source On Resistance-Max	2.3 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	158 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	21.6 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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