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Siehe Technische Spezifikationen

FQD2N60C +BOM

MOSFET QFC 600V 4.7OHM DPAK

Hersteller:

FAIRCHILD
Herstellerteil #:

FQD2N60C
Datenblatt:

FQD2N60C Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FQD2N60C

FQD2N60C Allgemeine Beschreibung

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Hauptmerkmale

1.9A, 600V, R_DS(on) = 4.7Ω(Max.) @V_GS = 10 V, I_D = 0.95A
Low gate charge ( Typ. 8.5nC)
Low C_rss ( Typ. 4.3pF)
100% avalanche tested
RoHS compliant

Anwendung

Lighting

Spezifikationen

Source Content uid	FQD2N60C	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Avalanche Energy Rating (Eas)	120 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V	Drain Current-Max (ID)	1.9 A
Drain-source On Resistance-Max	4.7 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	7.6 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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