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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FQD3P50TM +BOM

QFET MOSFET P-Channel 500V

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FQD3P50TM
Datenblatt:

FQD3P50TM Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

369AS
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260

FQD3P50TM Allgemeine Beschreibung

The FQD3P50TM stands out as a premier choice for those seeking high-performance power MOSFET technology. Crafted using a unique planar stripe and DMOS design, this MOSFET is at the forefront of innovation in the industry. Its specialized construction results in reduced on-state resistance, delivering superior switching performance and unparalleled avalanche energy strength. Ideal for applications such as switched mode power supplies and electronic lamp ballasts, the FQD3P50TM offers reliable and efficient power management solutions

Hauptmerkmale

High voltage rating, V_RR = 500V
Low inductance package, L_esr = 2.5nH
High efficiency operation, F_OM = 98%
Wide operating temperature range (-55°C to 125°C)

Anwendung

Outdoor landscape lighting
Energy efficient solutions
Modern pendant fixtures

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	369AS	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	2500	ON Target	Y
Channel Polarity	P-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	-500	VGS Max (V)	±30
VGS(th) Max (V)	-5	ID Max (A)	-2.1
PD Max (W)	50	RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	4900
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	18	Ciss Typ (pF)	510
Pricing ($/Unit)	$0.546Sample

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