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Siehe Technische Spezifikationen

FQD7P20TM +BOM

P-Channel 200 V 5.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FQD7P20TM
Datenblatt:

FQD7P20TM Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FQD7P20TM

FQD7P20TM Allgemeine Beschreibung

With a focus on maximizing efficiency and performance, the FQD7P20TM stands out as a top-tier option for engineers and designers seeking a high-quality power MOSFET. Its specialized design, which incorporates a planar stripe and DMOS technology, ensures that users can achieve optimal results in their applications. Whether used in power supplies, audio amplifiers, or motor control systems, this MOSFET offers the reliability and functionality needed to drive innovation and meet the demands of modern electronic devices

Hauptmerkmale

High-speed switching
Low power consumption
Fast response time
Accurate control

Anwendung

Chic lighting options
Eco-friendly lights
Light up your life

Spezifikationen

Source Content uid	FQD7P20TM	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	62 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	570 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (ID)	5.7 A	Drain-source On Resistance-Max	0.69 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	55 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	22.8 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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