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FQP32N20C +BOM

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 28 A, 82 mΩ, TO-220

FQP32N20C Allgemeine Beschreibung

Moreover, the FQP32N20C embodies a commitment to sustainability, with its energy-efficient operation contributing to reduced power consumption and lower carbon emissions. By harnessing the latest advancements in semiconductor technology, ON Semiconductor continues to spearhead the evolution of power electronics, empowering industries and individuals alike to embrace a future of efficiency and innovation

Hauptmerkmale

  • Up to 12V, Low Dropout
  • High Current, Low Rds(on)
  • Faster Switching, Low Qrr
  • Low Vgs, High Id
  • Rise Time: 50ns, Fall Time: 100ns
  • Compact Design, High Efficiency

Anwendung

  • Exclusive Video Streaming Devices
  • Stylish Audio Equipment

Spezifikationen

Source Content uid FQP32N20C Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code End Of Life Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 26 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas) 955 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 200 V Drain Current-Max (ID) 28 A
Drain-source On Resistance-Max 0.082 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 156 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 112 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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