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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FQPF6N90 +BOM

00V semiconductor device

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FQPF6N90
Datenblatt:

FQPF6N90 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3.4A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FQPF6N90

FQPF6N90 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 900 V 3.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Hauptmerkmale

3.4A, 900V, RDS(on) = 1.9 @VGS = 10 V

Low gate charge ( typical 40 nC)

Low Crss ( typical 17 pF)

Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1880 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	56W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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