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FQT1N60CTF-WS +BOM

N-Channel 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

FQT1N60CTF-WS Allgemeine Beschreibung

The FQT1N60CTF-WS power MOSFET, designed with ON Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology, delivers exceptional performance in power management applications. With its reduced on-state resistance and superior switching performance, this MOSFET is ideal for use in switched mode power supplies, active power factor correction, and electronic lamp ballasts. Its high avalanche energy strength further enhances its suitability for demanding environments

FQT1N60CTF-WS

Hauptmerkmale

  • Fully RoHS compliant
  • Low gate charge, 4.8nC typ.
  • Avalanche tested to ensure reliability
  • 100% tested for high quality assurance
  • RDS(on) = 9.3Ω(Typ.) @VGS = 10 V
  • High current handling, 0.2A typ.

Anwendung

  • Fashionable
  • Trendy
  • Stylish

Spezifikationen

Source Content uid FQT1N60CTF-WS Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (ID) 0.2 A Drain-source On Resistance-Max 11.5 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 6 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G4 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 4 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 250
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 2.1 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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