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FQT4N20LTF +BOM

N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

FQT4N20LTF Allgemeine Beschreibung

When it comes to high-performance power MOSFETs, the FQT4N20LTF stands out as a prime example of technological advancement. With its advanced planar stripe and DMOS technology, this MOSFET sets a new standard for efficiency and reliability in power electronics. Designed for optimal performance in applications such as power factor correction and electronic ballasts, this device offers superior switching capabilities and high avalanche energy strength

Hauptmerkmale

  • Low power dissipation (Typ. 30mW)
  • High frequency operation up to 50kHz
  • RDS(on) = 1.8Ω( Typ.) @VGS = 10 V
  • ID = 2.5A (Typ.)

Anwendung

  • Smart LED TV deal
  • Energy-efficient lighting

Spezifikationen

Source Content uid FQT4N20LTF Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 4 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas) 52 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (ID) 0.85 A Drain-source On Resistance-Max 1.4 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2.2 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 3.4 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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