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Siehe Technische Spezifikationen

GCMX040B120S1-E1 +BOM

Discrete Semiconductor Modules

Hersteller:

SemiQ
Herstellerteil #:

GCMX040B120S1-E1
Datenblatt:

GCMX040B120S1-E1 Datenblatt (PDF)
Product:

Power MOSFET Modules
Technology:

SiC
Vf - Forward Voltage:

3.8 V
Vgs - Gate-Source Voltage:

- 25 V, + 25 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GCMX040B120S1-E1

GCMX040B120S1-E1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 1200 V 57A (Tc) 242W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Spezifikationen

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Product	Power MOSFET Modules
Technology	SiC	Vf - Forward Voltage	3.8 V
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Mounting Style	Screw Mount
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Fall Time	12 ns	Id - Continuous Drain Current	57 A
Pd - Power Dissipation	242 W	Product Type	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance	52 mOhms	Rise Time	5 ns
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	Discrete Semiconductor Modules
Transistor Polarity	N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	21 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V

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