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Siehe Technische Spezifikationen

IPP100N08N3GXKSA1 +BOM

MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IPP100N08N3GXKSA1
Datenblatt:

IPP100N08N3GXKSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPP100N08N3GXKSA1

IPP100N08N3GXKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Optimized technology for DC-DC converters
Excellent gate charge x R
DS(ON)
Superior thermal resistance
Dual sided cooling
Low parasitic inductance
Low profile (<0,7mm)
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 46µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2410 pF @ 40 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPP100	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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