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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MJ15003 +BOM

The MJ15003 and MJ15004 are power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications.

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

MJ15003
Datenblatt:

MJ15003 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

140 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MJ15003

MJ15003 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 20 A 2MHz 250 W Through Hole TO-3

Hauptmerkmale

High Safe Operating Area (100% Tested) - 5.0 A @ 50 V
For Low Distortion Complementary Designs
High DC Current Gain - h_FE = 25 (Min) @ I_C = 5 Adc

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	140 V	Collector- Base Voltage VCBO	140 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	20 A	Pd - Power Dissipation	250 W
Gain Bandwidth Product fT	2 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	20 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25	Height	8.51 mm
Length	39.37 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	26.67 mm
Unit Weight	0.056438 oz

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