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Siehe Technische Spezifikationen

MJ802 +BOM

90V 200W [email protected],2V 30A NPN TO-204(TO-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

MJ802
Datenblatt:

MJ802 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

90 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MJ802

MJ802 Allgemeine Beschreibung

This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100¿Watts music power per channel.

Hauptmerkmale

High DC Current Gain - h_FE = 25-100 @ I_C = 7.5 A
Excellent Safe Operating Area
Complement to the PNP MJ4502
Pb-Free Package is Available

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	90 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	800 mV
Maximum DC Collector Current	30 A	Pd - Power Dissipation	200 W
Gain Bandwidth Product fT	2 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	30 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25	Height	8.51 mm
Length	39.37 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	26.67 mm
Unit Weight	0.056438 oz

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