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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MJW21196 +BOM

Suitable for general-purpose switching and amplification need

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

MJW21196
Datenblatt:

MJW21196 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

250 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MJW21196

MJW21196 Allgemeine Beschreibung

Designed with precision engineering in mind, the MJW21196 NPN Bipolar Complementary Audio Power Transistor stands out as a superior choice for those seeking optimal performance in their audio equipment. The Perforated Emitter technology used in this transistor ensures efficient power handling and reliable operation in various high-power applications. Whether used in audio amplifiers or disk head positioners, this transistor guarantees exceptional audio quality and precise control for linear applications

Hauptmerkmale

Low Dropout Voltage
Fast Switching Time
Pin Compatible Packages

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	250 V	Collector- Base Voltage VCBO	400 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	16 A	Pd - Power Dissipation	200 W
Gain Bandwidth Product fT	4 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	16 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	20	Height	21.08 mm
Length	16.26 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	5.3 mm
Unit Weight	1.340411 oz

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