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Siehe Technische Spezifikationen

MRF5S9101MR1 +BOM

RF MOSFET Transistors 100W 900MHZ 26V TO270WB4

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MRF5S9101MR1
Datenblatt:

MRF5S9101MR1 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

700 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

68 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MRF5S9101MR1

MRF5S9101MR1 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 26 V 700 mA 869MHz ~ 960MHz 17.5dB 100W TO-270 WB-4

Spezifikationen

Product Category:	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si	Id - Continuous Drain Current:	700 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	68 V	Operating Frequency:	0.86 GHz to 0.96 GHz
Gain:	17.5 dB	Output Power:	100 W
Minimum Operating Temperature:	- 65 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Mounting Style:	SMD/SMT	Packaging:	Reel
Channel Mode:	Enhancement	Configuration:	Single
Height:	2.64 mm	Length:	17.58 mm
Pd - Power Dissipation:	427 W	Product Type:	RF MOSFET Transistors
Subcategory:	MOSFETs	Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 500 mV, 15 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Width:	9.07 mm	Unit Weight:	0.058073 oz

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