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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MRFE6S9201HSR5 +BOM

RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 200W NI780HS

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MRFE6S9201HSR5
Datenblatt:

MRFE6S9201HSR5 Datenblatt (PDF)
Number Of Pins:

3
Drain To Source Breakdown Voltage:

66 V
Drain To Source Voltage (Vdss):

66 V
Element Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MRFE6S9201HSR5

MRFE6S9201HSR5 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 1.4 A 880MHz 20.8dB 40W NI-780S

Spezifikationen

Number of Pins	3	Drain to Source Breakdown Voltage	66 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	66 V	Element Configuration	Single
Frequency	880 MHz	Gain	20.8 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)	10 V	Max Operating Temperature	150 °C
Min Operating Temperature	-65 °C	Output Power	40 W
Packaging	Tape & Reel (TR)	Test Current	1.4 A
Test Voltage	28 V	Voltage Rating	66 V

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