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Siehe Technische Spezifikationen

MRFX600GSR5 +BOM

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

MRFX600GSR5
Datenblatt:

MRFX600GSR5 Datenblatt (PDF)
Technology:

LDMOS
Configuration:

Dual
Frequency:

1.8MHz ~ 400MHz
Gain:

26.4dB

MRFX600GSR5 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 65 V 100 mA 1.8MHz ~ 400MHz 26.4dB 600W NI-780GS-4L

Hauptmerkmale

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	LDMOS	Configuration	Dual
Frequency	1.8MHz ~ 400MHz	Gain	26.4dB
Voltage - Test	65 V	Current Rating (Amps)	10µA
Noise Figure	-	Current - Test	100 mA
Power - Output	600W	Voltage - Rated	179 V
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	MRFX600

Image Thumbnail - NI-780H-4L, NI-780S-4L, NI-780GS-4L Package Image

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