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RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.5dB SMD
SO-1Hersteller:
CEL
Herstellerteil #:
NE3210S01
Datenblatt:
Technology:
GaAs HJ-FET
Frequency:
12GHz
Gain:
13.5dB
Voltage - Test:
2 V
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SUPER LOW NOISE FIGURE:
0.35 dB TYP at f = 12 GHz
HIGH ASSOCIATED GAIN:
13.5 dB TYP at f = 12 GHz
GATE LENGTH: LG0.20 m
GATE WIDTH: WG = 160 m
Technology | GaAs HJ-FET | Configuration | - |
Frequency | 12GHz | Gain | 13.5dB |
Voltage - Test | 2 V | Current Rating (Amps) | 15mA |
Noise Figure | 0.35dB | Current - Test | 10 mA |
Power - Output | - | Voltage - Rated | 4 V |
Mounting Type | - |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
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