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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NE68033-T1B-A +BOM

Bipolar transistor with excellent frequency response characteristic

Hersteller:

CEL
Herstellerteil #:

NE68033-T1B-A
Datenblatt:

NE68033-T1B-A Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

Bipolar
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

2 GHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NE68033-T1B-A

NE68033-T1B-A Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3

Spezifikationen

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Operating Frequency	2 GHz	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	10 V
Emitter- Base Voltage VEBO	1.5 V	Continuous Collector Current	35 mA
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single	Mounting Style	SMD/SMT
DC Current Gain hFE Max	250	Gain Bandwidth Product fT	10 GHz
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Pd - Power Dissipation	200 mW (1/5 W)	Product Type	RF Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Type	RF Bipolar Small Signal	Width	1.5 mm
Part # Aliases	2SC3585-T1B-A	Unit Weight	0.000282 oz

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