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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NE5511279A +BOM

RF Power MOSFET

Hersteller:

NEC ELECTRONICS CORP
Herstellerteil #:

NE5511279A
Datenblatt:

NE5511279A Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

4
Reach Compliance Code:

compliant

NE5511279A Allgemeine Beschreibung

Support is limited to customers who have already adopted these products.

This product is discontinued product or is discontinued notice product.

Hauptmerkmale

Low input bias current: <±3nA
Low input offset current: <±3nA
Low input offset voltage:<1mV
Low supply current: 1.5mA/A
1V/µs slew rate
High input impedance: 100MΩ
High common-mode impedance: 10GΩ
Internal compensation for unity gain
600Ω drive capability (7VRMS)

Anwendung

AC amplifiers
RC active filters
Transducer amplifiers
DC gain block
Instrumentation amplifier

Spezifikationen

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	4	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	8 V
Drain Current-Max (ID)	3 A	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 Code	R-XQMW-F4
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	QUAD
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

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