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NE68133 +BOM

L Band Silicon NPN RF Small Signal Transistor in Plastic Package

NE68133 Allgemeine Beschreibung

DESCRIPTIONNECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surface mount package styles. NE681s unique device characteristics allow you to use a single matching point to simultaneously achieve both low noise and high gain.FEATURES• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz• LOW NOISE FIGURE:    1.2 dB at 1 GHz    1.6 dB at 2 GHz• HIGH ASSOCIATED GAIN:    15 dB at 1 GHz    12 dB at 2 GHz• LOW COST

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT Transistor Polarity NPN
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 10 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V Emitter- Base Voltage VEBO 1.5 V
Maximum DC Collector Current 65 mA Pd - Power Dissipation 200 mW
Gain Bandwidth Product fT 9 GHz Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C DC Collector/Base Gain hfe Min 50 at 7 mA, 3 V
Height 1.4 mm Length 2.9 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Subcategory Transistors
Technology Si Width 1.5 mm

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