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Siehe Technische Spezifikationen

SS8550 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1.5 A 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23

Hersteller:

MDD
Herstellerteil #:

SS8550
Datenblatt:

SS8550 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

500mV @ 80mA, 800mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SS8550

SS8550 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1.5 A 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23

Hauptmerkmale

Complementary to SS8050
Collector Current : I_C = 1.5 A
Power Dissipation, P_D = 1 W (T_C = 25°C )

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.
Ideal for Push - Pull configuration

Spezifikationen

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 100mA, 1V
Power - Max	300 mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	25 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Maximum DC Collector Current	1.5 A
Pd - Power Dissipation	1 W	Gain Bandwidth Product fT	200 MHz
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	SS8550
Continuous Collector Current	1.5 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	85
DC Current Gain hFE Max	300	Height	4.7 mm
Length	4.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	10000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.93 mm
Unit Weight	0.008466 oz

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