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Siehe Technische Spezifikationen

TSM250N02CX +BOM

TSM250N02CX is a transistor MOSFET optimized for N-channel operation, capable of handling voltages up to 20V and currents up to 5

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation
Herstellerteil #:

TSM250N02CX
Datenblatt:

TSM250N02CX Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

5.8A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM250N02CX

TSM250N02CX Allgemeine Beschreibung

N-Channel 20 V 5.8A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	0.8V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	535 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	1.56W (Tc)	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	TSM250

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