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Siehe Technische Spezifikationen

TSM250N02DCQ RFG +BOM

Dual N-Channel Power MOSFET, 20V, 5.8A MOSFET

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation
Herstellerteil #:

TSM250N02DCQ RFG
Datenblatt:

TSM250N02DCQ RFG Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Standard
Drain To Source Voltage (Vdss):

20V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM250N02DCQ RFG

TSM250N02DCQ RFG Allgemeine Beschreibung

The TSM250N02DCQ RFG is a cutting-edge Gallium Nitride (GaN) transistor built for demanding high-frequency RF applications. Its impressive power dissipation of 250W and broad frequency range of 0.01 to 4 GHz make it a versatile and powerful solution for a wide range of RF systems. What sets this GaN transistor apart is its compact and lightweight design, making it a perfect fit for applications where space and weight are crucial factors. Not only does it boast high efficiency and low loss characteristics, but it also delivers improved performance and energy savings

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	775pF @ 10V	Power - Max	620mW (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	TSM250

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