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WAB300M12BM3 +BOM

1200V, 300A SiC Power Module meeting RoHS requirements

WAB300M12BM3 Allgemeine Beschreibung

Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 300A, 1200V, 62mm, BM3, Switching Optimized, Industrial, THB-80, Gen 3

Spezifikationen

Technology Silicon Carbide (SiC) Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 382A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 300A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 92mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 908nC @ 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24500pF @ 1000V
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Base Product Number WAB300

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