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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BU931T +BOM

TO-220 Darlington Transistors ROHS

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

BU931T
Datenblatt:

BU931T Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

400 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

5 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BU931T

BU931T Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A 125 W Through Hole TO-220

Hauptmerkmale

AEC-Q101 qualified
Very rugged Bipolar technology
High operating junction temperature

Spezifikationen

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	10 A
Maximum Collector Cut-off Current	100 uA	Pd - Power Dissipation	125 W
Mounting Style	Through Hole	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	BU931T
Qualification	AEC-Q101	DC Collector/Base Gain hfe Min	300 at 5 A, 10 V
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	Transistors	Unit Weight	0.211644 oz

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