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Siehe Technische Spezifikationen

BUK7Y102-100B,115 +BOM

N-channel TrenchMOS standard level FET

Hersteller:

Nexperia Semiconductor (NXP)
Herstellerteil #:

BUK7Y102-100B,115
Datenblatt:

BUK7Y102-100B,115 Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V

BUK7Y102-100B,115 Allgemeine Beschreibung

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia's High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

Hauptmerkmale

AEC-Q101 compliant
Suitable for standard level gate drive sources
Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

12 V, 24 V and 42 V loads
Automotive systems
DC-to-DC converters
General purpose power switching
Solenoid drivers

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	102mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	779 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BUK7Y102	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	5
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number	AEC-Q101	feature-auto-motive	Yes
feature-p-pap		feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes	feature-svhc-exceeds-threshold	Yes

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