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Reliable and efficient power component solutio
TO-247-3Hersteller:
Wolfspeed
Herstellerteil #:
C3M0016120D
Datenblatt:
Technology:
SiC
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
EDA/CAD Modelle:
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Wolfspeed's C3M0016120D Silicon Carbide Power MOSFET, part of the third generation of SiC MOSFETs, stands out for its high switching performance. With fast switching speeds and low switching losses, this MOSFET is well-suited for high frequency operation and applications requiring rapid switching. These features make the C3M0016120D an ideal choice for power electronics where efficiency and performance are crucial
Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV |
Id - Continuous Drain Current | 115 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 22.3 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 19 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V |
Qg - Gate Charge | 207 nC | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 556 W |
Channel Mode | Enhancement | Configuration | Single |
Fall Time | 27 ns | Forward Transconductance - Min | 53 S |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 28 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 84 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 174 ns | Unit Weight | 0.211644 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $43,019 | $43,02 |
30+ | $41,227 | $1.236,81 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
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The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren
Right, as the description indicates.