Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

C3M0160120J +BOM

High voltage 1200V SiC MOSFET with low on-state resistance of 160 milliohm

Hersteller:

Wolfspeed, Inc.
Herstellerteil #:

C3M0160120J
Datenblatt:

C3M0160120J Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

TO-263-7
Produktart:

Single FETs, MOSFETs
Lebenszyklus:

Active
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an C3M0160120J

C3M0160120J Allgemeine Beschreibung

Discover the C3M0160120J, a state-of-the-art silicon carbide power MOSFET developed by Wolfspeed for efficient power conversion in high-power and high-voltage applications. With a voltage rating of 1200V and a continuous drain current rating of 160A, this device is ideal for electric vehicles, renewable energy systems, and industrial motor drives. Its low on-resistance of 16mΩ ensures efficient power conversion with minimal losses, while its fast switching speed and low gate charge enable high-frequency operation and improved system efficiency. Furthermore, the C3M0160120J is designed to withstand high temperatures and harsh operating conditions, with a temperature rating of up to 175°C, making it suitable for rugged environments where traditional silicon-based power devices may struggle to deliver reliable performance

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..